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利用纳米锥形光纤在5K时产生应变，电力订同时探测WSe2单层的近场光响应。引言WSe2单层是直接带隙半导体，交易其光学特性受束缚电子-空穴对(即激子)的存在所支配。

作者使用纳米雕刻的锥形光纤的尖端实现WSe2单层的局部形变，中心组织并光学探测该区域。因此，公司在高应变时，局部应变对激子性质的精确影响还未被详细研究。文献链接：零月份ProbingdarkexcitonnavigationthroughalocalstrainlandscapeinaWSe2monolayer.2021,NatureCommunications,DOI:10.1038/s41467-021-27877-2.本文由纳米小白供稿欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，零月份投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

自由暗激子在其长寿命期间被汇集到高应变区域，户合同并且是低温下漂移和扩散的主要参与者。WSe2是更大类别的半导体过渡金属二卤族化合物(TMDs)的成员，线签它有几个吸引人的特性:其单层具有光学暗激子基态，线签可以容纳单光子源，并具有潜在的激子漏斗。

这项最新研究通过在低温下动态生成亚微米尺度(~100nm)的应变，零售系统地阐述了局部施加应变对WSe2单层中自由(与缺陷束缚相反)激子的作用。

之前的研究中，山东售电售用对原子薄的半导体中局部应变效应的研究仅限于静态或室温。与此同时，电力订中国大陆的液晶面板企业相继建设新工厂，加上夏普与鸿海的积极扩张，今后全球液晶面板业将面临产能供给过剩的隐忧。

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